उच्च व्होल्टेज सिरेमिक कॅपॅसिटरचा बाह्य सीलिंग लेयर, विशेषत: इपॉक्सी लेयर, केवळ एन्कॅप्स्युलेटिंग सामग्री म्हणून काम करत नाही तर कॅपेसिटरच्या संपूर्ण गुणवत्तेवर आणि वैशिष्ट्यांवर देखील लक्षणीय परिणाम करते.

 

प्रथम आणि सर्वात महत्त्वाचे म्हणजे, सिरेमिक चिप्स आणि इपॉक्सी लेयरमधील बाँडिंग हा एक गंभीर जंक्शन पॉइंट आहे. कमकुवत बाँडिंगमुळे कॅपेसिटन्स कमी होऊ शकते. म्हणून, या बाँडिंग साइट्सची घनता थेट इपॉक्सी लेयरच्या अखंडतेवर परिणाम करते, घनतेच्या बंधनामुळे आंशिक डिस्चार्ज कमी होते.

 

दुसरे म्हणजे, उच्च व्होल्टेज किंवा डिस्चार्ज परिस्थितीत सिरेमिक कॅपेसिटरच्या ऑपरेशन दरम्यान, उष्णता-प्रेरित तणाव उद्भवतो. या पुनरावृत्ती झालेल्या थर्मल स्ट्रेसमुळे मुख्य घटकांमधील विस्तार आणि आकुंचन जुळत नाही, ज्यामुळे रेझिन डिलेमिनेशन होते. कॅपेसिटरमधील वायूचा अपव्यय करण्याची क्षमता लक्षणीयरीत्या कमी होते, तर इपॉक्सी लेयरवरील ताण नाटकीयरित्या वाढतो, ज्यामुळे कॅपेसिटर निकामी होण्याची शक्यता असते.

 

शिवाय, हे सामान्यतः मान्य केले जाते की उच्च तापमानात सिंटरिंग प्रक्रियेनंतर, कॅपेसिटरला नैसर्गिक प्रक्रियेद्वारे थर्मल तणाव कमी करण्यासाठी पुनर्प्राप्ती कालावधी आवश्यक असतो. पुनर्प्राप्ती वेळ जितका जास्त असेल तितका जास्त कॅपेसिटरची तणाव सहन करण्याची क्षमता, उच्च गुणवत्ता सुनिश्चित करते. उदाहरणार्थ, नवीन उत्पादित कॅपॅसिटरची तुलना ज्यांच्या पुनर्प्राप्तीनंतर जवळजवळ दोन महिने झाले आहेत त्यांच्याशी, नंतरचे व्होल्टेजला जास्त सहनशीलता दर्शवते, सुरुवातीला 80kV वर चाचणी केली तरीही 60kV किंवा त्याहून अधिक पातळी गाठते.

 

शिवाय, इपॉक्सी सामग्रीची निवड वेगवेगळ्या तापमानांवर कॅपेसिटरच्या कार्यक्षमतेवर परिणाम करू शकते. काही उच्च-व्होल्टेज सिरेमिक कॅपेसिटर कमी तापमानात कमी परिणामकारकता अनुभवू शकतात. उदाहरणार्थ, -30 अंश सेल्सिअस इतके कमी तापमान गोठवल्यास, अशा कमी तापमानात खराब इपॉक्सी गुणधर्मांमुळे किंवा सिरेमिक चिप्सच्या विस्तार आणि आकुंचनाशी विसंगततेमुळे क्रॅक तयार होऊ शकतात. परिणामी, अति थंडीमुळे होणारा विसंगत ताण त्याच प्रमाणात आवाज कमी करू शकत नाही, ज्यामुळे संरचनात्मक ताण येतो.

 

या घटकांना संबोधित करून आणि इपॉक्सी लेयरची गुणवत्ता सुनिश्चित करून, उत्पादक उच्च व्होल्टेज कॅपेसिटरची एकूण कार्यक्षमता आणि विश्वासार्हता सुधारू शकतात.